ON Semiconductor ±12 ° Fototransistor QSD123, Infrarot, 5mm Durchsteckmontage

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: TH
Produktdetails

Der QSD122, QSD123, QSD124 ist ein Silizium-Fototransistor, der in einem transparenten, schwarzen T-1 3/4-Gehäuse mit Infrarot gekapselt ist.

NPN-Silizium-Fototransistor
Gehäusetyp: T-1 3/4
Gekerbter Emitter: QED12X/QED22X/QED23X.
Schmaler Empfangswinkel: 24 °C.
Tageslichtfilter
Gehäusematerial und -farbe: schwarzes Epoxidharz
Hohe Empfindlichkeit
Anwendungen:
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Erkennbare Spektren Infrarot
Fallzeit typ. 7µs
Regelanstiegszeit 7µs
Anzahl der Kanäle 1
Dunkelstrom max. 100nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel ±12 °
Anzahl der Pins 2
Montage Typ Durchsteckmontage
Gehäusetyp T1.3/4
Abmessungen 6.1 Dia. x 8.77mm
Kollektorstrom 16mA
Durchmesser 6.1mm
Emitter-Kollektor-Spannung 5V
Ausgangssignaltyp Phototransistor
Kollektor-Emitter-Spannung 30V
Wellenlänge max. 880nm
Höhe über Panel 8.77mm
Sättigungsspannung 0.4V
Empfindlichkeit im Spektralbereich 880 nm
750 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In in einem Beutel mit 250)
0,177
(ohne MwSt.)
0,211
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Beutel*
250 - 1000
0,177 €
44,25 €
1250 - 2250
0,163 €
40,75 €
2500 +
0,152 €
38,00 €
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich.