- RS Best.-Nr.:
- 184-1083
- Herst. Teile-Nr.:
- QSD123
- Marke:
- onsemi
Voraussichtlich ab 10.05.2024 verfügbar.
Preis pro Stück (In einem Beutel mit 250)
0,311 €
(ohne MwSt.)
0,37 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Beutel* |
250 - 750 | 0,311 € | 77,75 € |
1000 - 2250 | 0,221 € | 55,25 € |
2500 - 9750 | 0,206 € | 51,50 € |
10000 + | 0,204 € | 51,00 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 184-1083
- Herst. Teile-Nr.:
- QSD123
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der QSD122, QSD123, QSD124 ist ein Silizium-Fototransistor, der in einem transparenten, schwarzen T-1 3/4-Gehäuse mit Infrarot gekapselt ist.
NPN-Silizium-Fototransistor
Gehäusetyp: T-1 3/4
Gekerbter Emitter: QED12X/QED22X/QED23X.
Schmaler Empfangswinkel: 24 °C.
Tageslichtfilter
Gehäusematerial und -farbe: schwarzes Epoxidharz
Hohe Empfindlichkeit
Anwendungen:
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
Gehäusetyp: T-1 3/4
Gekerbter Emitter: QED12X/QED22X/QED23X.
Schmaler Empfangswinkel: 24 °C.
Tageslichtfilter
Gehäusematerial und -farbe: schwarzes Epoxidharz
Hohe Empfindlichkeit
Anwendungen:
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Erkennbare Spektren | IR |
Fallzeit typ. | 7µs |
Regelanstiegszeit | 7µs |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Dunkelstrom max. | 100nA |
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | ±12 ° |
Anzahl der Pins | 2 |
Montage Typ | Durchsteckmontage |
Gehäusetyp | T1.3/4 |
Abmessungen | 6.1 Dia. x 8.77mm |
Kollektorstrom | 16mA |
Wellenlänge max. | 880nm |
Empfindlichkeit im Spektralbereich | 880 nm |
Durchmesser | 6.1mm |
Ausgangssignaltyp | Phototransistor |
Sättigungsspannung | 0.4V |
Emitter-Kollektor-Spannung | 5V |
Höhe über Panel | 8.77mm |
Kollektor-Emitter-Spannung | 30V |
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