ON Semiconductor ±12 ° Fototransistor QSD123, Infrarot, 5mm Durchsteckmontage

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: TH
Produktdetails

Der QSD122, QSD123, QSD124 ist ein Silizium-Fototransistor, der in einem transparenten, schwarzen T-1 3/4-Gehäuse mit Infrarot gekapselt ist.

NPN-Silizium-Fototransistor
Gehäusetyp: T-1 3/4
Gekerbter Emitter: QED12X/QED22X/QED23X.
Schmaler Empfangswinkel: 24 °C.
Tageslichtfilter
Gehäusematerial und -farbe: schwarzes Epoxidharz
Hohe Empfindlichkeit
Anwendungen:
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Erkennbare Spektren Infrarot
Fallzeit typ. 7µs
Regelanstiegszeit 7µs
Anzahl der Kanäle 1
Dunkelstrom max. 100nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel ±12 °
Anzahl der Pins 2
Montage Typ Durchsteckmontage
Gehäusetyp T1.3/4
Abmessungen 6.1 Dia. x 8.77mm
Kollektorstrom 16mA
Durchmesser 6.1mm
Sättigungsspannung 0.4V
Ausgangssignaltyp Phototransistor
Emitter-Kollektor-Spannung 5V
Kollektor-Emitter-Spannung 30V
Wellenlänge max. 880nm
Höhe über Panel 8.77mm
Empfindlichkeit im Spektralbereich 880 nm
37 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: 1 Packung mit 25 Stück
7,60
(ohne MwSt.)
9,04
(inkl. MwSt.)
Packung(en)
Pro Packung
Pro Stück*
1 - 3
7,60 €
0,304 €
4 - 5
5,90 €
0,236 €
6 - 7
5,30 €
0,212 €
8 +
4,80 €
0,192 €
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich.
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