ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 12μs, 450nm → 1100nm / 950μA, 3-Pin TO18
- RS Best.-Nr.:
- 654-8255
- Herst. Teile-Nr.:
- BP 103-3/4
- Marke:
- ams OSRAM
Alle Fototransistoren anzeigen
60 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
2,758 €
(ohne MwSt.)
3,282 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 5 - 20 | 2,758 € | 13,79 € |
| 25 + | 2,592 € | 12,96 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
Verpackungsoptionen:
- RS Best.-Nr.:
- 654-8255
- Herst. Teile-Nr.:
- BP 103-3/4
- Marke:
- ams OSRAM
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Fototransistor-Gehäuse TO-18
Diese Familie von NPN-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors gibt es in durchkontaktierten TO-18-Standardgehäusen. Durch diese TO-18-Metallgehäuse sind diese Fototransistoren ideal für Anwendungen in schwierigen Umgebungen.
IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten
| Eigenschaft | Wert |
| Erkennbare Spektren | IR, Sichtbares Licht |
| Fallzeit typ. | 12µs |
| Regelanstiegszeit | 12µs |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Lichtstrom max. | 950µA |
| Dunkelstrom max. | 50nA |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 110 ° |
| Polarität | NPN |
| Anzahl der Pins | 3 |
| Montage Typ | Durchsteckmontage |
| Gehäusetyp | TO18 |
| Abmessungen | 5.5 x 5.5 x 3.6mm |
| Kollektorstrom | 100mA |
| Wellenlänge max. | 1100nm |
| Empfindlichkeit im Spektralbereich | 450 → 1100 nm |
| Wellenlänge min. | 450nm |
| Höhe über Panel | 3.6mm |
| Länge | 5.5mm |
| Breite | 5.5mm |