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    ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 12μs, 450nm → 1100nm / 950μA, 3-Pin TO18

    RS Best.-Nr.:
    654-8255
    Herst. Teile-Nr.:
    BP 103-3/4
    Marke:
    ams OSRAM
    ams OSRAM
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    Rechtliche Anforderungen


    Produktdetails

    Fototransistor-Gehäuse TO-18


    Diese Familie von NPN-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors gibt es in durchkontaktierten TO-18-Standardgehäusen. Durch diese TO-18-Metallgehäuse sind diese Fototransistoren ideal für Anwendungen in schwierigen Umgebungen.


    IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors

    Technische Daten

    EigenschaftWert
    Erkennbare SpektrenIR, Sichtbares Licht
    Fallzeit typ.12µs
    Regelanstiegszeit12µs
    Anzahl der Kanäle1
    Lichtstrom max.950µA
    Dunkelstrom max.50nA
    Empfindlichkeit-Halbwertswinkel110 °
    PolaritätNPN
    Anzahl der Pins3
    Montage TypDurchsteckmontage
    GehäusetypTO18
    Abmessungen5.5 x 5.5 x 3.6mm
    Kollektorstrom100mA
    Wellenlänge max.1100nm
    Empfindlichkeit im Spektralbereich450 → 1100 nm
    Wellenlänge min.450nm
    Höhe über Panel3.6mm
    Länge5.5mm
    Breite5.5mm
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