ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 12μs, 400nm → 1100nm / 5800μA, 3-Pin TO18
- RS Best.-Nr.:
- 654-8384
- Herst. Teile-Nr.:
- BPY 62-3/4
- Marke:
- ams OSRAM
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Produktdetails
Fototransistor-Gehäuse TO-18
Diese Familie von NPN-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors gibt es in durchkontaktierten TO-18-Standardgehäusen. Durch diese TO-18-Metallgehäuse sind diese Fototransistoren ideal für Anwendungen in schwierigen Umgebungen.
IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Erkennbare Spektren | IR, Sichtbares Licht |
| Fallzeit typ. | 12µs |
| Regelanstiegszeit | 12µs |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Lichtstrom max. | 5800µA |
| Dunkelstrom max. | 50nA |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 16 ° |
| Polarität | NPN |
| Anzahl der Pins | 3 |
| Montage Typ | THT |
| Gehäusetyp | TO18 |
| Abmessungen | 5.6 x 5.6 x 6.2mm |
| Kollektorstrom | 100mA |
| Wellenlänge min. | 400nm |
| Wellenlänge max. | 1100nm |
| Empfindlichkeit im Spektralbereich | 400 → 1100 nm |
| Länge | 5.6mm |
| Breite | 5.6mm |
| Höhe über Panel | 6.2mm |