ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 12μs, 400nm → 1100nm / 5800μA, 3-Pin TO18
- RS Best.-Nr.:
- 654-8384P
- Herst. Teile-Nr.:
- BPY 62-3/4
- Marke:
- ams OSRAM
495 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück (in Gurtabschnitt(en))
1,848 €
(ohne MwSt.)
2,199 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück |
| 25 - 45 | 1,848 € |
| 50 - 95 | 1,724 € |
| 100 - 245 | 1,608 € |
| 250 + | 1,442 € |
- RS Best.-Nr.:
- 654-8384P
- Herst. Teile-Nr.:
- BPY 62-3/4
- Marke:
- ams OSRAM
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Fototransistor-Gehäuse TO-18
Diese Familie von NPN-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors gibt es in durchkontaktierten TO-18-Standardgehäusen. Durch diese TO-18-Metallgehäuse sind diese Fototransistoren ideal für Anwendungen in schwierigen Umgebungen.
IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Erkennbare Spektren | IR, Sichtbares Licht |
| Fallzeit typ. | 12µs |
| Regelanstiegszeit | 12µs |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Lichtstrom max. | 5800µA |
| Dunkelstrom max. | 50nA |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 16 ° |
| Polarität | NPN |
| Anzahl der Pins | 3 |
| Montage Typ | THT |
| Gehäusetyp | TO18 |
| Abmessungen | 5.6 x 5.6 x 6.2mm |
| Kollektorstrom | 100mA |
| Empfindlichkeit im Spektralbereich | 400 → 1100 nm |
| Wellenlänge max. | 1100nm |
| Wellenlänge min. | 400nm |
| Höhe über Panel | 6.2mm |
| Breite | 5.6mm |
| Länge | 5.6mm |