ams OSRAM SIDELED SMD NPN Fototransistor IR 7μs, 750nm → 1120nm / 80μA, 2-Pin PLCC
- RS Best.-Nr.:
- 654-8491
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 325 FA-3/4-Z
- Marke:
- ams OSRAM
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Fototransistor SIDELED®-Gehäuse
Diese Produktreihe von NPN-Silizium-Fototransistoren von Osram Opto Semiconductors wird in ihrem SIDELED® -SMD-Gehäuse versandt.
Hohe Linearität
P-LCC-2-Gehäuse
Abmessungen: 4,2 x 4,2 x 3,8 mm
Nur geeignet für IR-Aufschmelzlötung
P-LCC-2-Gehäuse
Abmessungen: 4,2 x 4,2 x 3,8 mm
Nur geeignet für IR-Aufschmelzlötung
IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Erkennbare Spektren | IR |
| Fallzeit typ. | 7µs |
| Regelanstiegszeit | 7µs |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Lichtstrom max. | 80µA |
| Dunkelstrom max. | 50nA |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 120 ° |
| Polarität | NPN |
| Anzahl der Pins | 2 |
| Montage Typ | SMD |
| Gehäusetyp | PLCC |
| Abmessungen | 4.2 x 4.2 x 3.8mm |
| Kollektorstrom | 15mA |
| Wellenlänge max. | 1120nm |
| Empfindlichkeit im Spektralbereich | 750 → 1120 nm |
| Wellenlänge min. | 750nm |
| Breite | 4.2mm |
| Länge | 4.2mm |
| Serie | SIDELED |
| Höhe über Panel | 3.8mm |