ams OSRAM SIDELED SMD NPN Fototransistor IR 7μs, 750nm → 1120nm / 80μA, 2-Pin PLCC

RS Best.-Nr.:: 654-8491
Herst. Teile-Nr.:: SFH 325 FA-3/4-Z
Marke:: ams OSRAM

ams OSRAM SIDELED SMD NPN Fototransistor IR 7μs, 750nm → 1120nm / 80μA, 2-Pin PLCC

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Herst. Teile-Nr.:: SFH 325 FA-3/4-Z
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Produktdetails

Fototransistor SIDELED®-Gehäuse

Diese Produktreihe von NPN-Silizium-Fototransistoren von Osram Opto Semiconductors wird in ihrem SIDELED® -SMD-Gehäuse versandt.

Hohe Linearität
P-LCC-2-Gehäuse
Abmessungen: 4,2 x 4,2 x 3,8 mm
Nur geeignet für IR-Aufschmelzlötung

IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Erkennbare Spektren	IR
Fallzeit typ.	7µs
Regelanstiegszeit	7µs
Anzahl der Kanäle	1
Lichtstrom max.	80µA
Dunkelstrom max.	50nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel	120 °
Polarität	NPN
Anzahl der Pins	2
Montage Typ	Oberflächenmontage
Gehäusetyp	PLCC
Abmessungen	4.2 x 4.2 x 3.8mm
Kollektorstrom	15mA
Empfindlichkeit im Spektralbereich	750 → 1120 nm
Wellenlänge min.	750nm
Wellenlänge max.	1120nm
Höhe über Panel	3.8mm
Breite	4.2mm
Serie	SIDELED
Länge	4.2mm