ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 14μs, 740nm → 1080nm / 8600μA, 2-Pin 5mm

RS Best.-Nr.:: 654-8867P
Herst. Teile-Nr.:: SFH 314 FA-2/3
Marke:: ams OSRAM

ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 14μs, 740nm → 1080nm / 8600μA, 2-Pin 5mm

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Herst. Teile-Nr.:: SFH 314 FA-2/3
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Produktdetails

Fototransistor-Gehäuse T-1 3/4 (5 mm)

Diese Produktfamilie von NPN-Silizium-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors besteht aus einer Serie von durchkontaktierten 5 mm (T-1 3/4) Geräten. Sie verfügen über klare oder schwarze Kunststofflinsen und die diffusen Linsen werden für Tageslichtfilter verwendet. Geeignete Anwendungen sind computergesteuerte Blitze, Fotointerruptoren, Industrieelektronik und Steuerungs-/Treiberschaltungen.

5 mm (T-1 3/4) Gehäuse
Durchgangsbohrung

IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Erkennbare Spektren	IR
Fallzeit typ.	14µs
Regelanstiegszeit	14µs
Anzahl der Kanäle	1
Lichtstrom max.	8600µA
Dunkelstrom max.	200nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel	80 °
Polarität	NPN
Anzahl der Pins	2
Montage Typ	THT
Gehäusetyp	5 mm (T-1 3/4)
Abmessungen	5.9 x 5.9 x 6.9mm
Kollektorstrom	50mA
Wellenlänge max.	1080nm
Empfindlichkeit im Spektralbereich	740 → 1080 nm
Wellenlänge min.	740nm
Breite	5.9mm
Länge	5.9mm
Höhe über Panel	6.9mm

RS Best.-Nr.:: 654-8867P
Herst. Teile-Nr.:: SFH 314 FA-2/3
Marke:: ams OSRAM