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    ams OSRAM SIDELED SMD NPN Fototransistor IR 7μs, 750nm → 1120nm / 50μA, 2-Pin PLCC

    RS Best.-Nr.:
    665-5423P
    Herst. Teile-Nr.:
    SFH 325 FA-3-Z
    Marke:
    ams OSRAM
    ams OSRAM
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    ams OSRAM

    Rechtliche Anforderungen


    Produktdetails

    Fototransistor SIDELED®-Gehäuse


    Diese Produktreihe von NPN-Silizium-Fototransistoren von Osram Opto Semiconductors wird in ihrem SIDELED® -SMD-Gehäuse versandt.

    Hohe Linearität
    P-LCC-2-Gehäuse
    Abmessungen: 4,2 x 4,2 x 3,8 mm
    Nur geeignet für IR-Aufschmelzlötung


    IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors

    Technische Daten

    EigenschaftWert
    Erkennbare SpektrenIR
    Fallzeit typ.7µs
    Regelanstiegszeit7µs
    Anzahl der Kanäle1
    Lichtstrom max.50µA
    Dunkelstrom max.50nA
    Empfindlichkeit-Halbwertswinkel120 °
    PolaritätNPN
    Anzahl der Pins2
    Montage TypOberflächenmontage
    GehäusetypPLCC
    Abmessungen4.2 x 4.2 x 3.8mm
    Kollektorstrom15mA
    Wellenlänge max.1120nm
    Empfindlichkeit im Spektralbereich750 → 1120 nm
    Wellenlänge min.750nm
    SerieSIDELED
    Höhe über Panel3.8mm
    Breite4.2mm
    Länge4.2mm
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