ON Semiconductor 25 °C Fototransistor QSE113, Infrarot, Side-View Gehäuse Durchsteckmontage

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Produktdetails

IR-Fototransistor Serie QSE113/QSE114

Die Serie QSE-113/QSE114 von Fairchild Semiconductor ist eine Reihe von Silizium-IR-Fototransistoren. Sie befinden sich in einer SL-Packung mit seitlicher Optik (SL) und durchgehender Bohrung. Die schwarzen Kunststoffgehäuse haben einen breiten Winkel und sind IR-transparent.

Merkmale der QSE113/QSE114 IR-Fototransistoren:
Infrarot-Fototransistor, NPN-Silizium
Gehäusetyp: seitliche Optik
Mittelbreiter Empfangswinkel, 50°
Gehäusematerial und -farbe: schwarzes Epoxidharz
Tageslichtfilter
Hohe Empfindlichkeit
Betriebstemperatur: -40 bis +100 °C

IR-Fototransistoren, Fairchild Semiconductor

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Erkennbare Spektren Infrarot
Fallzeit typ. 8µs
Regelanstiegszeit 8µs
Anzahl der Kanäle 1
Dunkelstrom max. 100nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 25 °C
Anzahl der Pins 2
Montage Typ Durchsteckmontage
Gehäusetyp Side Looker
Abmessungen 4.44 x 2.54 x 5.08mm
Kollektorstrom 1.50mA
Höhe über Panel 5.08mm
Empfindlichkeit im Spektralbereich 880 nm
Länge 4.44mm
Wellenlänge max. 880nm
Breite 2.54mm
280 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 20)
0,431
(ohne MwSt.)
0,513
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 240
0,431 €
8,62 €
260 +
0,28 €
5,60 €
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich.
Verpackungsoptionen: