ON Semiconductor 80 °C Fototransistor QTLP610CPDTR, Infrarot Oberflächenmontage

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Produktdetails

IR-Fototransistor QTLP610CPD

Der IR-Fototransistor QTLP610CPD von Fairchild Semiconductor befindet sich in einem rechtwinkligen Oberflächenmontage-Gehäuse. Er verfügt über eine gewölbte Linse aus transparentem Kunststoff.

Merkmale des QTLP610CPD:
NPN-Silizium-Fototransistor
Rechtwinkliges SMD-Gehäuse
Klare gewölbte Linse
Hohe Fotoempfindlichkeit
Sperrschicht mit niedriger Kapazität
Schnelle Ansprechzeit

IR-Fototransistoren, Fairchild Semiconductor

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Erkennbare Spektren Infrarot
Fallzeit typ. 15µs
Regelanstiegszeit 15µs
Anzahl der Kanäle 1
Dunkelstrom max. 100nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 80 °C
Anzahl der Pins 2
Montage Typ Oberflächenmontage
Abmessungen 3.2 x 2.2 x 1.1mm
Kollektorstrom 0.5mA
Wellenlänge max. 860nm
Breite 2.2mm
Länge 3.2mm
Höhe über Panel 1.1mm
Empfindlichkeit im Spektralbereich 860 nm
1320 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 10)
0,288
(ohne MwSt.)
0,343
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 +
0,288 €
2,88 €
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Nicht als Expresslieferung erhältlich.
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