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    ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 7μs, 880nm → 1120nm / 4500μA, 2-Pin 3mm

    RS Best.-Nr.:
    876-8710P
    Herst. Teile-Nr.:
    SFH 309 FA-4
    Marke:
    ams OSRAM
    ams OSRAM
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    876-8710P
    Herst. Teile-Nr.:
    SFH 309 FA-4
    Marke:
    ams OSRAM
    Ursprungsland:
    MY

    Rechtliche Anforderungen

    Ursprungsland:
    MY

    Produktdetails

    T-1-Gehäuse (3 mm) des Fototransistors


    Diese Produktreihe von NPN-Silizium-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors besteht aus einer Serie von durchkontaktierten 3-mm-(T-1)-Geräten. Sie verfügen über klare oder schwarze Kunststofflinsen und die diffusen Linsen werden für Tageslichtfilter verwendet. Geeignete Anwendungen sind Fotointerruptoren, Industrieelektronik und Steuerungs-/Treiberschaltungen.

    Standard-3-mm-(T-1)-Gehäuse
    Durchgangsbohrung


    IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors

    Technische Daten

    EigenschaftWert
    Erkennbare SpektrenIR
    Fallzeit typ.7µs
    Regelanstiegszeit7µs
    Anzahl der Kanäle1
    Lichtstrom max.4500µA
    Dunkelstrom max.1 (≤ 50)nA
    Empfindlichkeit-Halbwertswinkel±12 °
    PolaritätNPN
    Anzahl der Pins2
    Montage TypDurchsteckmontage
    Gehäusetyp3 mm (T-1)
    Abmessungen3.1 (Dia.) x 5.2mm
    Kollektorstrom15mA
    Empfindlichkeit im Spektralbereich880 bis 1120 nm
    Wellenlänge min.880nm
    Wellenlänge max.1120nm
    Durchmesser3.1mm
    Kollektor-Emitter-Spannung35 V
    Höhe über Panel5.2mm
    Sättigungsspannung200mV
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