OSRAM 24° Fototransistor, Infrarot, 3mm Durchsteckmontage

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Produktdetails

T-1-Gehäuse (3 mm) des Fototransistors

Diese Produktreihe von NPN-Silizium-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors besteht aus einer Serie von durchkontaktierten 3-mm-(T-1)-Geräten. Sie verfügen über klare oder schwarze Kunststofflinsen und die diffusen Linsen werden für Tageslichtfilter verwendet. Geeignete Anwendungen sind Fotointerruptoren, Industrieelektronik und Steuerungs-/Treiberschaltungen.

Standard-3-mm-(T-1)-Gehäuse
Durchgangsbohrung

IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Erkennbare Spektren Infrarot
Fallzeit typ. 7µs
Regelanstiegszeit 7µs
Anzahl der Kanäle 1
Lichtstrom max. 7200µA
Dunkelstrom max. 200nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 24°
Polarität NPN
Anzahl der Pins 2
Montage Typ Durchsteckmontage
Gehäusetyp T1
Abmessungen 4 x 4 x 5.2mm
Kollektorstrom 15mA
Wellenlänge min. 730nm
Breite 4mm
Empfindlichkeit im Spektralbereich 730 → 1120 nm
Wellenlänge max. 1120nm
Länge 4mm
Höhe über Panel 5.2mm
Voraussichtlich ab 24.11.2020 verfügbar.
Preis pro: Stück (In in einem Beutel mit 2000)
0,145
(ohne MwSt.)
0,168
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Beutel*
2000 - 8000
0,145 €
290,00 €
10000 +
0,142 €
284,00 €
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich.