OSRAM 24° Fototransistor, Infrarot, 3mm Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr. 912-8514
- Herst. Teile-Nr. SFH 309 FA-4/5
- Marke OSRAM Opto Semiconductors
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Produktdetails
T-1-Gehäuse (3 mm) des Fototransistors
Diese Produktreihe von NPN-Silizium-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors besteht aus einer Serie von durchkontaktierten 3-mm-(T-1)-Geräten. Sie verfügen über klare oder schwarze Kunststofflinsen und die diffusen Linsen werden für Tageslichtfilter verwendet. Geeignete Anwendungen sind Fotointerruptoren, Industrieelektronik und Steuerungs-/Treiberschaltungen.
Standard-3-mm-(T-1)-Gehäuse
Durchgangsbohrung
IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten
| Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Erkennbare Spektren | Infrarot |
| Fallzeit typ. | 7µs |
| Regelanstiegszeit | 7µs |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Lichtstrom max. | 7200µA |
| Dunkelstrom max. | 200nA |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 24° |
| Polarität | NPN |
| Anzahl der Pins | 2 |
| Montage Typ | Durchsteckmontage |
| Gehäusetyp | T1 |
| Abmessungen | 4 x 4 x 5.2mm |
| Kollektorstrom | 15mA |
| Wellenlänge min. | 730nm |
| Breite | 4mm |
| Empfindlichkeit im Spektralbereich | 730 → 1120 nm |
| Wellenlänge max. | 1120nm |
| Länge | 4mm |
| Höhe über Panel | 5.2mm |
Voraussichtlich ab 24.11.2020 verfügbar.
Preis pro: Stück (In in einem Beutel mit 2000)
0,145
€
(ohne MwSt.)
0,168
€
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Beutel*
2000 - 8000
0,145 €
290,00 €
10000 +
0,142 €
284,00 €
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich.
