ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR 7μs, 750nm → 1120nm / 80μA, 2-Pin PLCC
- RS Best.-Nr.:
- 915-4872
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 325 FA-4-Z
- Marke:
- OSRAM Opto Semiconductors
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Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 915-4872
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 325 FA-4-Z
- Marke:
- OSRAM Opto Semiconductors
- Ursprungsland:
- MY
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
Fototransistor SIDELED®-Gehäuse
PLCC-2-Gehäuseabmessungen 3,8 x 3,4 x 4,2 mm
Nur für IR-Aufschmelzlöten geeignet
Nur für IR-Aufschmelzlöten geeignet
Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten
| Eigenschaft | Wert |
| Erkennbare Spektren | IR |
| Fallzeit typ. | 7µs |
| Regelanstiegszeit | 7µs |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Lichtstrom max. | 80µA |
| Dunkelstrom max. | 50nA |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 120° |
| Polarität | NPN |
| Anzahl der Pins | 2 |
| Montage Typ | Oberflächenmontage |
| Gehäusetyp | PLCC |
| Abmessungen | 4.2 x 4.2 x 3.8mm |
| Kollektorstrom | 15mA |
| Wellenlänge max. | 1120nm |
| Empfindlichkeit im Spektralbereich | 750 → 1120 nm |
| Wellenlänge min. | 750nm |
| Höhe über Panel | 3.8mm |
| Breite | 4.2mm |
| Länge | 4.2mm |
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