CY15B104Q-SXI FRAM-Speicher 4MBit, 512K x 8 bit, SPI, SOIC 8-Pin

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RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

F-RAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.

Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Speicher Größe 4MBit
Organisation 512K x 8 bit
Interface-Typ SPI
Datenbus-Breite 8bit
Montage-Typ SMD
Gehäusegröße SOIC
Pinanzahl 8
Abmessungen 5.33 x 5.33 x 1.78mm
Länge 5.33mm
Breite 5.33mm
Arbeitsspannnung max. 3,6 V
Höhe 1.78mm
Betriebstemperatur max. +85 °C
Arbeitsspannnung min. 2 V
Anzahl der Bits pro Wort 8bit
Betriebstemperatur min. –40 °C
Anzahl der Wörter 512K
Voraussichtlich ab 08.10.2020 verfügbar.
Preis pro: Stück
22,77
(ohne MwSt.)
27,10
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
1 - 4
22,77 €
5 - 9
18,22 €
10 - 49
17,75 €
50 - 187
17,30 €
188 +
16,87 €
Verpackungsoptionen: