FM18W08-SG FRAM-Speicher 256kbit, 32K x 8 bit, 70ns, Parallel, SOIC 28-Pin

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RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

F-RAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.

Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Speicher Größe 256kbit
Organisation 32K x 8 bit
Interface-Typ Parallel
Zugriffszeit max. 70ns
Montage-Typ SMD
Gehäusegröße SOIC
Pinanzahl 28
Abmessungen 18.11 x 7.62 x 2.37mm
Länge 18.11mm
Breite 7.62mm
Arbeitsspannnung max. 5,5 V
Höhe 2.37mm
Betriebstemperatur max. +85 °C
Anzahl der Wörter 32K
Arbeitsspannnung min. 2,7 V
Betriebstemperatur min. –40 °C
Anzahl der Bits pro Wort 8bit
646 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück
14,98
(ohne MwSt.)
17,83
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
1 - 9
14,98 €
10 - 49
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50 - 99
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100 - 499
12,04 €
500 +
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