FM25V20A-G FRAM-Speicher 2MBit, 256K x 8 bit, SPI, SOIC 8-Pin

Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: TH
Produktdetails

F-RAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.

Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Speicher Größe 2MBit
Organisation 256K x 8 bit
Interface-Typ SPI
Datenbus-Breite 8bit
Montage-Typ SMD
Gehäusegröße SOIC
Pinanzahl 8
Abmessungen 5.33 x 5.33 x 1.78mm
Länge 5.33mm
Arbeitsspannnung max. 3,6 V
Breite 5.33mm
Höhe 1.78mm
Betriebstemperatur max. +85 °C
Betriebstemperatur min. –40 °C
Anzahl der Wörter 256k
Anzahl der Bits pro Wort 8bit
Arbeitsspannnung min. 2 V
94 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer Stange von 94)
14,688
(ohne MwSt.)
17,479
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
94 - 94
14,688 €
1.380,672 €
188 +
13,364 €
1.256,216 €
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich.