AEC-Q100 FM28V202A-TG FRAM-Speicher 2MBit, 128.000 x 8 Bit, 60ns, Parallel, TSOP 44-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: US
Produktdetails

F-RAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.

Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Speicher Größe 2MBit
Organisation 128.000 x 8 Bit
Interface-Typ Parallel
Datenbus-Breite 8bit
Zugriffszeit max. 60ns
Montage-Typ SMD
Gehäusegröße TSOP
Pinanzahl 44
Abmessungen 18.51 x 10.26 x 1.04mm
Länge 18.51mm
Arbeitsspannnung max. 3,6 V
Breite 10.26mm
Höhe 1.04mm
Betriebstemperatur max. +85 °C
Anzahl der Wörter 128k
Automobilstandard AEC-Q100
Arbeitsspannnung min. 2 V
Betriebstemperatur min. –40 °C
Anzahl der Bits pro Wort 8bit
Voraussichtlich ab 09.06.2020 verfügbar.
Preis pro: Stück (In einem Tray von 135)
21,326
(ohne MwSt.)
25,378
(inkl. MwSt.)
Stück
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135 +
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2.879,01 €
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