Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 1 A 15V 8-Pin SOIC 30ns

Gate-Ansteuerungs-ICs von Infineon zur Steuerung von MOSFET- oder IGBT-Leistungsbauelementen in Halbbrückenkonfigurationen.

Unsere Portfolio-Gate-Ansteuerungs-ICs vereinfachen das Design und optimieren die Leistung in allen Ansteuerungsstufen der FETs und IGBTs

Einfache primärseitige Steuerungslösung zur Aktivierung von Halbbrücken-DC-Bus-Wandlern für 48 V verteilte Systeme mit verringerter Bauelementeanzahl und PlatinenplatzIntegrierter 50-%-Tastverhältnisoszillator und Halbbrücken-Treiber-IC in einem einzigen SO-8 GehäuseProgrammierbare Schaltfrequenz mit bis zu 500 kHz max. pro Kanal+/–1 A Treiberstrombelastbarkeit optimiert für MOSFETs mit geringer LadungEinstellbare Totzeit 50–200 nsVeränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb bis zu +100 V dcHoch- und Niederspannungsseiten-Impulsbreitenanpassung an +/–25 nsEinstellbarer ÜberstromschutzUnterspannungsschutz und interner SanftanlaufbleifreiZielanwendungsbereiche:Kfz 48 V dc/dcKfz 12 V dc/dcEntlüftungPiezo-EinspritzungMagnet-Einspritzung

MOSFET- und IGBT-Treiber, Infineon (International Rectifier)