Infineon THT SiC-Schottky Diode / 3A, 2-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 110-7110
- Herst. Teile-Nr.:
- IDH03SG60CXKSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 110-7110
- Herst. Teile-Nr.:
- IDH03SG60CXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
thinQ! Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC), Infineon
Die thinQ!™-Generation 5 von Infineon bietet eine neuartige Dünnwafer-Technologie für SiC-Schottky-Barrierendioden mit verbesserten thermischen Eigenschaften. Die SiC-Schottky-Dioden bieten vorteilhafte Funktionen für Hochspannungshalbleiter, etwa eine höhere Durchbruchfeldstärke sowie verbesserte thermische Leitfähigkeit mit höherer Effizienz. Diese neueste Generation eignet sich für den Einsatz in Telekommunikations-SMPS und High-End-Servern, USV-Systemen, Motorantrieben, Solarwechselrichtern sowie PC-Silverbox- und Beleuchtungsanwendungen.
Verminderte elektromagnetische Störungen
Dioden und Gleichrichter, Infineon
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Montage-Typ | THT |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Dauer-Durchlassstrom max. | 3A |
| Diodenkonfiguration | Einfach |
| Diode Typ | SiC-Schottky |
| Pinanzahl | 2 |
| Maximaler Spannungsabfall | 2.8V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Diodentechnologie | SiC-Schottky |
| Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch | 11.5A |
- RS Best.-Nr.:
- 110-7110
- Herst. Teile-Nr.:
- IDH03SG60CXKSA1
- Marke:
- Infineon