- RS Best.-Nr.:
- 189-4778
- Herst. Teile-Nr.:
- ASSR-1228-002E
- Marke:
- Broadcom
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Preis pro Stück (In einer Stange von 50)
2,935 €
(ohne MwSt.)
3,493 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
50 - 50 | 2,935 € | 146,75 € |
100 - 200 | 2,856 € | 142,80 € |
250 - 450 | 2,779 € | 138,95 € |
500 - 950 | 2,709 € | 135,45 € |
1000 + | 2,641 € | 132,05 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 189-4778
- Herst. Teile-Nr.:
- ASSR-1228-002E
- Marke:
- Broadcom
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Halbleiterrelais (Foto-MOSFET), Serie ASSR, Avago Technologies
Die Foto-MOSFET-Halbleiterrelais von Avago Technologie besteht aus einer Infrarot-Leuchtdiode (LED) und dem Detektor, der aus einem Hochgeschwindigkeits-Photovoltaik-Diodenarray und Treiberschaltkreisen besteht, um zwei diskrete Hochspannungs-MOSFETS ein- und auszuschalten.
Optokoppler, Avago Technologies
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Laststrom max. | 0,2 A |
Montage Typ | Oberflächenmontage |
Lastspannung max. | 60 V |
Lastspannung min. | –60 V |
Steuerspannung max. | 0,8 V |
Schalttyp | AC/DC, nur DC |
Kontaktanordnung | 1-poliger Schließer |
Anschluss Typ | 4-polig |
Ausgangsschaltung | MOSFET |
Relaistyp | PhotoMOSFET |
Gehäuseform | SO |
Serie | ASSR-1218 |
Einschaltzeit max. | 5ms |
Lastspannungsbereich | -60→ +60V |
Abmessungen | 4.3 x 4.4 x 2mm |
Kapazität | 0.4pF |
Besondere Merkmale | Hochgeschwindigkeits-Photovoltaikdiode-Array |
Tiefe | 4.4mm |
Betriebstemperatur min. | -40°C |
Betriebstemperaturbereich | -40 → +85°C |
Länge | 4.3mm |
Leckstrom im "Aus"-Zustand | 1 μA |
Betriebstemperatur max. | +85°C |
Höhe | 2mm |
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