- RS Best.-Nr.:
- 683-9037
- Herst. Teile-Nr.:
- G3VM-61BR
- Marke:
- Omron
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- Herst. Teile-Nr.:
- G3VM-61BR
- Marke:
- Omron
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
MOSFET-Halbleiterrelais G3VM
Halbleiterrelais mit MOSFET-Ausgang und Foto-LED-Eingang
Kombiniert die Vorteile von mechanischer und Festkörpertechnologie
Geringer Widerstand und geringe Ausgangskapazität
Lange Lebensdauer
Viele Modelle verfügbar
Ideal für Telekommunikations-Lösungen geeignet, einschließlich Leitungsbelegungen, Schaltungen, Gabelumschaltungen, Steuerung von Leitungstransformatoren und anderer Telefonfunktionen
Kombiniert die Vorteile von mechanischer und Festkörpertechnologie
Geringer Widerstand und geringe Ausgangskapazität
Lange Lebensdauer
Viele Modelle verfügbar
Ideal für Telekommunikations-Lösungen geeignet, einschließlich Leitungsbelegungen, Schaltungen, Gabelumschaltungen, Steuerung von Leitungstransformatoren und anderer Telefonfunktionen
Universal-MOSFET-Halbleiterrelais G3VM-61BR.
Das MOSFET-Relais G3VM-61BR bietet eine Fülle von Vorteilen, die von wartungsfreien Relais erwartet werden. 1-poliger Schließer, Durchsteckrelais mit DIP-Gehäuse (Dual In-Line) mit 6 Leiterplatten-Relais-Anschlussklemmen. Das Relais dieser Serie dient zum Schalten von analogen Kleinsignalen.
Merkmale und Vorteile des Halbleiterrelais G3VM-61BR.
MOSFET-Halbleiterrelais.
DIP6 (Dual in-Line).
Kontaktform: 1-poliger Schließer 1a.
Durchsteckrelais.
6 Relais-Anschlussklemmen.
Lastspannung: 60 V
Laststrom maximal 3000 mA.
Maximaler Widerstand bei Ausgang EIN: 0,65 Ω.
Leckstrom bei Relais offen: 10 nA max.
Kapazität zwischen den Klemmen: 400 pF.
SSR-Einschaltzeit: 1,5 ms max.
SSR-Abschaltzeit: 0,4 ms max.
Durchschlagsfestigkeit zwischen E/A: 2500 V eff.
Schalten von analogen Kleinsignalen.
RoHS-konform.
DIP6 (Dual in-Line).
Kontaktform: 1-poliger Schließer 1a.
Durchsteckrelais.
6 Relais-Anschlussklemmen.
Lastspannung: 60 V
Laststrom maximal 3000 mA.
Maximaler Widerstand bei Ausgang EIN: 0,65 Ω.
Leckstrom bei Relais offen: 10 nA max.
Kapazität zwischen den Klemmen: 400 pF.
SSR-Einschaltzeit: 1,5 ms max.
SSR-Abschaltzeit: 0,4 ms max.
Durchschlagsfestigkeit zwischen E/A: 2500 V eff.
Schalten von analogen Kleinsignalen.
RoHS-konform.
Zusätzliche Merkmale des Standard-Halbleiterrelais G3VM-61BR.
Lange Betriebslebensdauer.
Geringer Leckstrom.
SSR verfügt über eine ausgezeichnete Stoßfestigkeit.
Hoch isolierend.
Geräuscharmer Betrieb.
Hochgeschwindigkeitsschalten.
Steuerung des Mikro-Analog-Signals.
Foto-LED Eingang.
Statusausgang.
Kompakt
Betriebstemperaturbereich: –20 °C bis +60 °C, keine Vereisung oder Kondensation.
Geringer Leckstrom.
SSR verfügt über eine ausgezeichnete Stoßfestigkeit.
Hoch isolierend.
Geräuscharmer Betrieb.
Hochgeschwindigkeitsschalten.
Steuerung des Mikro-Analog-Signals.
Foto-LED Eingang.
Statusausgang.
Kompakt
Betriebstemperaturbereich: –20 °C bis +60 °C, keine Vereisung oder Kondensation.
Andere Anwendungsbeispiele.
Prüf- und Messgeräte.
Sicherheitsgeräte.
Sicherheitsgeräte.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Laststrom max. | 2,5 A |
Montage Typ | Leiterplattenmontage |
Lastspannung max. | 60 Vac |
Lastspannung min. | 0 Vac |
Steuerspannung max. | 1,5 V |
Schalttyp | DC |
Steuerspannungsbereich | Max. 1,48 V |
Laststrom min. | 2,5 A |
Anschluss Typ | Leiterplattenstift |
Kontaktanordnung | 1-poliger Schließer - Schließer |
Ausgangsschaltung | MOSFET |
Gehäuseform | PDIP |
Serie | G3VM |
Lastspannungsbereich | 0 → 60V ac |
Abmessungen | 7.12 x 6.4 x 3.65mm |
Leckstrom im "Aus"-Zustand | 30 mA |
Höhe | 3.7mm |
Länge | 7.1mm |
Tiefe | 6.4mm |
Betriebstemperatur max. | +85°C |
Betriebstemperatur min. | -20°C |
Betriebstemperaturbereich | -20 → +85°C |
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