MDI145-12A3 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 160 A, Y4 M5 7-Pin

  • RS Best.-Nr. 194-439
  • Herst. Teile-Nr. MDI145-12A3
  • Marke IXYS
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

IGBT-Module, IXYS

IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Konfiguration Single
Transistor-Konfiguration Einfach
Dauer-Kollektorstrom max. 160 A
Kollektor-Emitter- 1200 V
Gate-Source Spannung max. ±20V
Channel-Typ N
Montage-Typ Frontplattenmontage
Gehäusegröße Y4 M5
Pinanzahl 7
Abmessungen 94 x 34 x 30mm
Höhe 30mm
Länge 94mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Betriebstemperatur min. -40 °C
Breite 34mm
61 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück
50,83
(ohne MwSt.)
60,49
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
1 - 4
50,83 €
5 - 9
48,29 €
10 - 24
45,90 €
25 +
43,61 €
Nicht als Expresslieferung erhältlich.