MUBW15-12A6K N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 19 A 25-Pin

  • RS Best.-Nr. 194-596
  • Herst. Teile-Nr. MUBW15-12A6K
  • Marke IXYS
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

IGBT-Module IXYS

IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Transistor-Konfiguration 3-phasig
Konfiguration Dreiphasenbrücke
Dauer-Kollektorstrom max. 19 A
Kollektor-Emitter- 1200 V
Gate-Source Spannung max. ±20V
Channel-Typ N
Montage-Typ Leiterplattenmontage
Pinanzahl 25
Abmessungen 82 x 37.4 x 17.1mm
Höhe 17.1mm
Länge 82mm
Betriebstemperatur max. +125 °C
Breite 37.4mm
Betriebstemperatur min. -40 °C
Voraussichtlich ab 04.03.2020 verfügbar.
Preis pro: Stück
35,08
(ohne MwSt.)
41,75
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
1 - 1
35,08 €
2 - 4
32,12 €
5 - 9
30,53 €
10 - 19
29,01 €
20 +
27,56 €
Nicht als Expresslieferung erhältlich.