6MBI50U4A-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 50 A, M636 28-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 462-837
- Herst. Teile-Nr.:
- 6MBI50U4A-120-50
- Marke:
- Fuji Electric
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 462-837
- Herst. Teile-Nr.:
- 6MBI50U4A-120-50
- Marke:
- Fuji Electric
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
IGBT-Module, 6er-Pack, Fuji Electric
Serie V, Feld-Ausschalter der 6. Generation
Serie U/U4, Feld-Ausschalter der 5. Generation
Serie S, NPT der 4. Generation
Serie U/U4, Feld-Ausschalter der 5. Generation
Serie S, NPT der 4. Generation
Hinweis
Die Werte für den maximalen Kollektorstrom (Ic) sind pro Transistor innerhalb des Moduls angegeben.
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Fuji Electric
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 50 A |
| Kollektor-Emitter- | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 275 W |
| Konfiguration | Dreiphasenbrücke |
| Gehäusegröße | M636 |
| Montage-Typ | Leiterplattenmontage |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 28 |
| Transistor-Konfiguration | 3-phasig |
| Abmessungen | 107.5 x 45 x 17mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 462-837
- Herst. Teile-Nr.:
- 6MBI50U4A-120-50
- Marke:
- Fuji Electric