RS Components
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Teile-Nr.

FS150R12KE3BOSA1 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 200 A, AG-ECONO3-4


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RS Best.-Nr.:
166-1096
Herst. Teile-Nr.:
FS150R12KE3BOSA1
Marke:
Infineon

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
HU
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IGBT-Module, Infineon


Die IGBT-Module von Infineon bieten einen niedrigen Schaltverlust beim Schalten mit Frequenzen von bis zu 60 kHz.
Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP TM- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.


Gehäuseausführungen umfassen: 62-mm-Modul, EasyPack, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4


IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

EigenschaftWert
KonfigurationDreiphasenbrücke
Transistor-Konfiguration3-phasig
Dauer-Kollektorstrom max.200 A
Kollektor-Emitter-1200 V
Gate-Source Spannung max.±20V
Channel-TypN
Montage-TypFrontplattenmontage
GehäusegrößeAG-ECONO3-4
Verlustleistung max.700 W
Abmessungen122 x 62 x 17mm
Höhe17mm
Länge122mm
Betriebstemperatur max.+125 °C
Breite62mm
Betriebstemperatur min.–40 °C