Infineon IGBT / 30 A ±20V max., 1350 V 349 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 110-7449
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N135R3FKSA1
- Marke:
- Infineon
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| 30 - 72 | 3,987 € | 11,961 € |
| 75 - 147 | 3,70 € | 11,10 € |
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- 110-7449
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N135R3FKSA1
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- Infineon
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Produktdetails
TrenchStop-IGBT-Transistoren von Infineon, 1100–1600 V
Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 1100 bis 1600 V mit TrenchStop™-Technologie. Die Serie umfasst Geräte mit integrierter antiparallel geschalteter Hochgeschwindigkeitsdiode mit kurzer Erholzeit.
• Kollektor-Emitter-Spannung von 1100 bis 1600 V
• Sehr geringer VCEsat
• Geringe Abschaltverluste
• Kurzer Endstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur: 175 °C
• Sehr geringer VCEsat
• Geringe Abschaltverluste
• Kurzer Endstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur: 175 °C
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 30 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1350 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 349 W |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
| Gate-Kapazität | 2066pF |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 110-7449
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N135R3FKSA1
- Marke:
- Infineon
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