N-Kanal IGBT IHW40N60RFFKSA1, 600 V 80 A, TO-247 3-Pin Einfach
- RS Best.-Nr. 110-7732
- Herst. Teile-Nr. IHW40N60RFFKSA1
- Marke Infineon
Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V
Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode.
• Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V
• Sehr geringer VCEsat
• Niedrige Abschaltverluste
• Kurzer Deaktivierungsstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur 175°C
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
| Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A |
| Kollektor-Emitter- | 600 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 305 W |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Länge | 16.13mm |
| Breite | 5.21mm |
| Höhe | 21.1mm |
| Abmessungen | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
| Nennleistung | 0.79mJ |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Gate-Kapazität | 2400pF |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
