Infineon IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 375 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 165-8132
- Herst. Teile-Nr.:
- IGW60T120FKSA1
- Marke:
- Infineon
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- IGW60T120FKSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
TrenchStop-IGBT-Transistoren von Infineon, 1100–1600 V
Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 1100 bis 1600 V mit TrenchStop™-Technologie. Die Serie umfasst Geräte mit integrierter antiparallel geschalteter Hochgeschwindigkeitsdiode mit kurzer Erholzeit.
• Kollektor-Emitter-Spannung von 1100 bis 1600 V
• Sehr geringer VCEsat
• Geringe Abschaltverluste
• Kurzer Endstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur: 175 °C
• Sehr geringer VCEsat
• Geringe Abschaltverluste
• Kurzer Endstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur: 175 °C
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 100 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 375 W |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Nennleistung | 15.8mJ |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
| Gate-Kapazität | 3700pF |
- RS Best.-Nr.:
- 165-8132
- Herst. Teile-Nr.:
- IGW60T120FKSA1
- Marke:
- Infineon
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