- RS Best.-Nr.:
- 166-2175
- Herst. Teile-Nr.:
- ISL9V3040P3
- Marke:
- Fairchild Semiconductor
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Preis pro Stück (In einer Stange von 50)
2,722 €
(ohne MwSt.)
3,239 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
50 - 50 | 2,722 € | 136,10 € |
100 - 450 | 2,232 € | 111,60 € |
500 - 950 | 1,881 € | 94,05 € |
1000 - 2450 | 1,651 € | 82,55 € |
2500 + | 1,61 € | 80,50 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 166-2175
- Herst. Teile-Nr.:
- ISL9V3040P3
- Marke:
- Fairchild Semiconductor
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 21 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 450 V |
Gate-Source Spannung max. | ±14V |
Verlustleistung max. | 150 W |
Gehäusegröße | TO-220AB |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 10.67 x 4.7 x 16.3mm |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
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