IXYS IGBT / 75 A ±20V max., 1200 V, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 168-4435
- Herst. Teile-Nr.:
- IXGH40N120B2D1
- Marke:
- IXYS
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Produktdetails
IGBTs, diskret, IXYS
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 75 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 168-4435
- Herst. Teile-Nr.:
- IXGH40N120B2D1
- Marke:
- IXYS
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