N-Kanal IGBT STGW30NC60WD, 600 V 60 A 1MHz, TO-247 3-Pin Einfach

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RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

IGBT, diskret, STMicroelectronics

IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Dauer-Kollektorstrom max. 60 A
Kollektor-Emitter- 600 V
Gate-Source Spannung max. ±20V
Verlustleistung max. 200 W
Gehäusegröße TO-247
Montage-Typ Durchsteckmontage
Channel-Typ N
Pinanzahl 3
Schaltgeschwindigkeit 1MHz
Transistor-Konfiguration Einfach
Länge 15.75mm
Breite 5.15mm
Höhe 20.15mm
Abmessungen 15.75 x 5.15 x 20.15mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Betriebstemperatur min. –55 °C
210 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer Stange von 30)
3,18
(ohne MwSt.)
3,78
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 +
3,18 €
95,40 €
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Nicht als Expresslieferung erhältlich.