- RS Best.-Nr.:
- 171-0128
- Herst. Teile-Nr.:
- NGB8207ABNT4G
- Marke:
- Littelfuse
- RS Best.-Nr.:
- 171-0128
- Herst. Teile-Nr.:
- NGB8207ABNT4G
- Marke:
- Littelfuse
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
IGBT, diskret, ON Semiconductor
Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated-Gate Bipolar Transistors, IGBTs) für den Motorantrieb und andere Starkstrom-Schaltanwendungen.
IGBT, diskret, ON Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 50 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 365 V |
Gate-Source Spannung max. | ±15V |
Verlustleistung max. | 165 W |
Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
Montage-Typ | SMD |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 10.29 x 9.65 x 4.83mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Verwandte Produkte
- STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max. 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- Littelfuse IGBT / 20 A ±15V max. 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- Infineon IGBT / 10 A ±20V max. 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 50 A ±20V max. 3-Pin D2PAK (TO-263)
- onsemi IGBT / 21 A ±14V max. 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 20 A 12V max. 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 86 A ±20V max. 3-Pin D2PAK (TO-263)
- onsemi SMD Schottky Diode 3-Pin D2PAK (TO-263)