ROHM IGBT / 30 A 30V max., 650 V 133 W, 3+Tab-Pin TO-262 P-Kanal

RS Best.-Nr.:: 171-5593
Herst. Teile-Nr.:: RGT30NS65DGC9
Marke:: ROHM

ROHM IGBT / 30 A 30V max., 650 V 133 W, 3+Tab-Pin TO-262 P-Kanal

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50 - 95	2,304 €	11,52 €
100 - 245	2,092 €	10,46 €
250 - 495	1,924 €	9,62 €
500 +	1,778 €	8,89 €
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Ursprungsland:: JP

Produktdetails

ROHM-IGBT-Produkte werden dazu beitragen, einen hohen Wirkungsgrad und ein breites Spektrum an Hochspannungs- und Hochstromanwendungen zu erreichen.

Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Geringe Schaltverluste
Kurzschlusswiderstandszeit: 5 μs
Integriertes sehr schnelles FRD für die Wiederherstellung (RFN-Serie)
Bleifreie Beschichtung

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Dauer-Kollektorstrom max.	30 A
Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
Gate-Source Spannung max.	30V
Verlustleistung max.	133 W
Anzahl an Transistoren	1
Gehäusegröße	TO-262
Montage-Typ	THT
Channel-Typ	P
Pinanzahl	3+Tab
Transistor-Konfiguration	Einfach
Abmessungen	10.1 x 4.5 x 9mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Betriebstemperatur min.	–40 °C
Gate-Kapazität	780pF

RS Best.-Nr.:: 171-5593
Herst. Teile-Nr.:: RGT30NS65DGC9
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