N-Kanal IGBT STGP7NC60HD, 600 V 25 A, TO-220 3-Pin Einfach

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IGBT, diskret, STMicroelectronics

IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Dauer-Kollektorstrom max. 25 A
Kollektor-Emitter- 600 V
Gate-Source Spannung max. ±20V
Gehäusegröße TO-220
Montage-Typ Durchsteckmontage
Channel-Typ N
Pinanzahl 3
Transistor-Konfiguration Einfach
Länge 10.4mm
Breite 4.6mm
Höhe 9.15mm
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 9.15mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Betriebstemperatur min. –55 °C
2100 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer Stange von 50)
0,324
(ohne MwSt.)
0,386
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 +
0,324 €
16,20 €
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