Vishay SQJ457EP-T1_GE3 MOSFET

RS Best.-Nr.:: 180-7403
Herst. Teile-Nr.:: SQJ457EP-T1_GE3
Marke:: Vishay

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Ursprungsland:: CN

Produktdetails

Vishay MOSFET

Der Vishay MOSFET ist ein P-Kanal-TO-263-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 6,7 mohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 375 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile

• Halogen- und bleifreie Komponente (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen

• Adapterschalter
• DC/DC-Primärschalter
• Lastschalter
• Strommanagement

Zertifizierungen

• AEC-Q101-qualifiziert
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg-geprüft
• UIS-geprüft

RS Best.-Nr.:: 180-7403
Herst. Teile-Nr.:: SQJ457EP-T1_GE3
Marke:: Vishay

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Vishay SQJ457EP-T1_GE3 MOSFET

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Eigenschaften und Vorteile

Anwendungen

Zertifizierungen

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