- RS Best.-Nr.:
- 180-7827
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA817EDJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Voraussichtlich ab 22.08.2025 verfügbar.
Preis pro Stück (In einer VPE à 25)
0,418 €
(ohne MwSt.)
0,497 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
25 - 225 | 0,418 € | 10,45 € |
250 - 600 | 0,41 € | 10,25 € |
625 - 1225 | 0,31 € | 7,75 € |
1250 - 2475 | 0,247 € | 6,175 € |
2500 + | 0,188 € | 4,70 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 180-7827
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA817EDJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Der Vishay SIA817EDJ ist ein P-Kanal-MOSFET mit Schottky-Diode, die eine Drain-to-Source(Vds)-Spannung von -30 V hat Er verfügt über eine Konfiguration von zwei plus integriertem Schottky. Die Gate-Quelle-Spannung (VGS) beträgt 12 V. Es verfügt über ein Power PAK SC-70-Gehäuse. Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) 0,065 Ohm bei 10 VGS und 0,08 Ohm bei 4,5 VGS. Maximaler Drain-Strom: -4,5 A.
Kleiner Fuß plus Schottky-Leistungs-MOSFET
Thermisch verbessertes Power PAK SC-70-Gehäuse mit geringer Abmessung, geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand, dünnes 0,75-mm-Profil
Typischer ESD-Schutz (MOSFET): 1500 V (HBM)
Thermisch verbessertes Power PAK SC-70-Gehäuse mit geringer Abmessung, geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand, dünnes 0,75-mm-Profil
Typischer ESD-Schutz (MOSFET): 1500 V (HBM)