Vishay SUM110P08-11L-E3 MOSFET
- RS Best.-Nr.:
- 180-7977
- Herst. Teile-Nr.:
- SUM110P08-11L-E3
- Marke:
- Vishay
1552 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer VPE à 2)
1,97 €
(ohne MwSt.)
2,34 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 2 + | 1,97 € | 3,94 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 180-7977
- Herst. Teile-Nr.:
- SUM110P08-11L-E3
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Vishay MOSFET
Der SMD-N-Kanal-TO-263-3 MOSFET von Vishay ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 80 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 11,2 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 375 W und einen Dauerstrom von 110 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 4,5 V bzw. 10 V. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Anwendungen
• Lastschalter
• Notebook-PCs
• Stromversorgung des Systems
• Notebook-PCs
• Stromversorgung des Systems
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• BS EN 61340-5-1:2007