Vishay IRFI644GPBF MOSFET
- RS Best.-Nr.:
- 180-8325
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFI644GPBF
- Marke:
- Vishay
350 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer Stange von 50)
2,449 €
(ohne MwSt.)
2,914 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
| 50 - 50 | 2,449 € | 122,45 € |
| 100 - 200 | 2,302 € | 115,10 € |
| 250 - 450 | 2,082 € | 104,10 € |
| 500 - 1200 | 1,959 € | 97,95 € |
| 1250 + | 1,837 € | 91,85 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 180-8325
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFI644GPBF
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Vishay MOSFET
Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 250 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 280 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 40 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Dynamische dV/dt-Bewertung
• Hochspannungsisolierung = 2,5 kV eff (t = 60 s, f = 60 Hz)
• Isoliertes Gehäuse
• bleifreie Komponente (Pb)
• Niedriger Wärmewiderstand
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• Die Kriechstrecke zwischen Senke und Leitung beträgt 4,8 mm
• Hochspannungsisolierung = 2,5 kV eff (t = 60 s, f = 60 Hz)
• Isoliertes Gehäuse
• bleifreie Komponente (Pb)
• Niedriger Wärmewiderstand
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• Die Kriechstrecke zwischen Senke und Leitung beträgt 4,8 mm
Anwendungen
• Akkuladegeräte
• Umrichter
• Netzteile
• Schaltnetzteil (SMPS)
• Umrichter
• Netzteile
• Schaltnetzteil (SMPS)