Vishay IRFP27N60KPBF MOSFET
- RS Best.-Nr.:
- 180-8633
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP27N60KPBF
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Vishay MOSFET
Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal TO-247AC-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 600 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 30 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 220 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 500 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Verbesserte dV/dt-Fähigkeit der Gehäusediode
• Vollständig charakterisierte Kapazität und Lawinenspannung und -strom
• Verbessertes Gate, Lawinen und dynamisches dV/dt
• bleifreie Komponente (Pb)
• Niedrige Gate-Ladung Qg führt zu einfachen Treiberanforderungen
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• Vollständig charakterisierte Kapazität und Lawinenspannung und -strom
• Verbessertes Gate, Lawinen und dynamisches dV/dt
• bleifreie Komponente (Pb)
• Niedrige Gate-Ladung Qg führt zu einfachen Treiberanforderungen
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
Anwendungen
• Stark schaltende und Hochfrequenzschaltungen
• Hochgeschwindigkeitsschalten
• Schaltnetzteil (SMPS)
• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
• Hochgeschwindigkeitsschalten
• Schaltnetzteil (SMPS)
• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen