Vishay IRF9520SPBF MOSFET

Der Vishay MOSFET ist ein P-Kanal TO-263-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 600 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Gate-Quellspannung von 20 V. Er hat eine Antriebsspannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 60 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

• erhältlich in Band und Rolle
• Dynamische dV/dt-Bewertung
• Schnelles Schalten
• Halogen- und bleifreie Komponente (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• Repetitive Lawinenausladung

• Akkuladegeräte
• Umrichter
• Netzteile
• Schaltnetzteil (SMPS)