- RS Best.-Nr.:
- 601-2807
- Herst. Teile-Nr.:
- GT30J322(Q)
- Marke:
- Toshiba
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- RS Best.-Nr.:
- 601-2807
- Herst. Teile-Nr.:
- GT30J322(Q)
- Marke:
- Toshiba
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
IGBTs, diskret, Toshiba
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Toshiba
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 30 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Gehäusegröße | TO-3PNIS |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 15.8 x 5 x 21mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
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