N-Kanal IGBT-Transistor GT30J322(Q), 600 V 30 A, TO-3PNIS 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 601-2807
  • Herst. Teile-Nr. GT30J322(Q)
  • Marke Toshiba
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: JP
Produktdetails

IGBTs, diskret, Toshiba

IGBT, diskrete Bauteile und Module, Toshiba

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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