N-Kanal IGBT STGB8NC60KDT4, 600 V 15 A, D2PAK (TO-263) 3-Pin Einfach
- RS Best.-Nr. 686-8344
- Herst. Teile-Nr. STGB8NC60KDT4
- Marke STMicroelectronics
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Produktdetails
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
| Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 15 A |
| Kollektor-Emitter- | 600 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Länge | 6.6mm |
| Breite | 6.2mm |
| Höhe | 2.4mm |
| Abmessungen | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
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