N-Kanal IGBT STGB8NC60KDT4, 600 V 15 A, D2PAK (TO-263) 3-Pin Einfach

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IGBT, diskret, STMicroelectronics

IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Dauer-Kollektorstrom max. 15 A
Kollektor-Emitter- 600 V
Gate-Source Spannung max. ±20V
Gehäusegröße D2PAK (TO-263)
Montage-Typ SMD
Channel-Typ N
Pinanzahl 3
Transistor-Konfiguration Einfach
Länge 6.6mm
Breite 6.2mm
Höhe 2.4mm
Abmessungen 6.6 x 6.2 x 2.4mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Betriebstemperatur min. -55 °C
1120 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 5)
0,436
(ohne MwSt.)
0,519
(inkl. MwSt.)
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Pro Stück
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5 +
0,436 €
2,18 €
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Nicht als Expresslieferung erhältlich.
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