N-Kanal IGBT STGE200NB60S, 600 V 200 A, ISOTOP 4-Pin Einfach

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RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

IGBT, diskret, STMicroelectronics

IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Dauer-Kollektorstrom max. 200 A
Kollektor-Emitter- 600 V
Gate-Source Spannung max. ±20V
Gehäusegröße ISOTOP
Montage-Typ Frontplattenmontage
Channel-Typ N
Pinanzahl 4
Transistor-Konfiguration Einfach
Länge 38.2mm
Breite 25.5mm
Höhe 9.1mm
Abmessungen 38.2 x 25.5 x 9.1mm
Betriebstemperatur min. -55 °C
Betriebstemperatur max. +150 °C
2 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
12 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück
25,04
(ohne MwSt.)
29,80
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
1 - 1
25,04 €
2 - 4
23,45 €
5 - 9
22,29 €
10 - 19
21,18 €
20 +
20,11 €
Verpackungsoptionen: