- RS Best.-Nr.:
- 687-4973
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM200GB12E4
- Marke:
- Semikron
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Produktdetails
Duale IGBT-Module
Eine Serie von SEMITOP® IGBT-Modulen von Semikron einschließlich zwei in Reihe geschalteten IGBT-Geräten (Halbbrücke). Die Module sind in einem großen Spannungs- und Strombereich erhältlich und für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen wie AC-Wechselrichter-Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen geeignet.
Kompaktes SEMITOP®-Gehäuse
Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet
Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung
Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet
Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung
IGBT-Module, Semikron
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 314 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
Gate-Source Spannung max. | ±20V |
Gehäusegröße | SEMITRANS3 |
Konfiguration | Zweifach-Halbbrücke |
Montage-Typ | Tafelmontage |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 7 |
Transistor-Konfiguration | Serie |
Abmessungen | 106.4 x 61.4 x 30mm |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Betriebstemperatur min. | -40 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 687-4973
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM200GB12E4
- Marke:
- Semikron
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