Littelfuse IGBT-Modul / 460 A ±20V max., 600 V 1400 W, 7-Pin 62MM-Modul N-Kanal

Ultraniedriger Verlust
Hohe Widerstandsfähigkeit
Hohe Kurzschlussfestigkeit
Positiver Temperaturkoeffizient
Anwendungen in Motorantrieben, Frequenzumrichtern, DC/DC-Wandlern, SMPS und USV

IGBT diskret und Module

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.