N-Kanal IGBT STGF10NC60KD, 600 V 9 A 1MHz, TO-220FP 3-Pin Einfach

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IGBT, diskret, STMicroelectronics

IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Dauer-Kollektorstrom max. 9 A
Kollektor-Emitter- 600 V
Gate-Source Spannung max. ±20V
Verlustleistung max. 25 W
Gehäusegröße TO-220FP
Montage-Typ Durchsteckmontage
Channel-Typ N
Pinanzahl 3
Schaltgeschwindigkeit 1MHz
Transistor-Konfiguration Einfach
Länge 10.4mm
Breite 4.6mm
Höhe 16.4mm
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 16.4mm
Betriebstemperatur min. -55 °C
Betriebstemperatur max. +150 °C
100 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
110 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 10)
1,02
(ohne MwSt.)
1,21
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 10
1,02 €
10,20 €
20 - 40
0,802 €
8,02 €
50 - 90
0,761 €
7,61 €
100 - 190
0,655 €
6,55 €
200 +
0,622 €
6,22 €
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: