- RS Best.-Nr.:
- 795-9136
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW30NC120HD
- Marke:
- STMicroelectronics
Voraussichtlich ab 21.11.2024 verfügbar.
Preis pro Stück (In einer VPE à 2)
4,79 €
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5,70 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
2 - 8 | 4,79 € | 9,58 € |
10 - 24 | 4,09 € | 8,18 € |
26 - 98 | 3,865 € | 7,73 € |
100 - 498 | 3,31 € | 6,62 € |
500 + | 2,945 € | 5,89 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 795-9136
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW30NC120HD
- Marke:
- STMicroelectronics
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Produktdetails
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 60 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
Gate-Source Spannung max. | ±25V |
Verlustleistung max. | 220 W |
Gehäusegröße | TO-247 |
Montage-Typ | THT |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Schaltgeschwindigkeit | 1MHz |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
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