- RS Best.-Nr.:
- 807-0767
- Herst. Teile-Nr.:
- FGD3040G2-F085
- Marke:
- onsemi
Voraussichtlich ab 12.05.2025 verfügbar.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
2,112 €
(ohne MwSt.)
2,513 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
5 - 45 | 2,112 € | 10,56 € |
50 - 95 | 1,934 € | 9,67 € |
100 + | 1,802 € | 9,01 € |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 807-0767
- Herst. Teile-Nr.:
- FGD3040G2-F085
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
IGBT für Automobilzündung, Fairchild Semiconductor
Die IGBT-Bauelemente EcoSPARK sind für die Versorgung von Zündspulen im Kfz-Bereich vorgesehen. Sie wurden einem Belastungstest unterzogen und entsprechen der Norm AEC-Q101.
Merkmale
Logikebenen-Gate-Ansteuerung
ESD-Schutz
Anwendungen: Zündspulen-Treiberschaltkreise für den Kfz-Bereich, Spule-an-Stecker-Anwendungen
ESD-Schutz
Anwendungen: Zündspulen-Treiberschaltkreise für den Kfz-Bereich, Spule-an-Stecker-Anwendungen
RS-Produktcodes
864-8802 FGB3040CS 400 V 20 A D2PAK
864-8805 FGB3040G2_F085 400 V 25 A DPAK-2
807-0767 FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK
864-8880 FGI3040G2_F085 400 V 25 A I2PAK
864-8899 FGP3040G2_F085 400 V 25 A TO220
864-8809 FGB3245G2_F085 450 V 23 A D2PAK-2
864-8827 FGD3245G2_F085 450 V 23 A DPAK
807-0776 FGD3440G2_F085 400 V 25 A DPAK
864-8818 FGB3440G2_F085 400 V 25 A D2PAK-2
864-8893 FGP3440G2_F085 400 V 25 A TO220
807-8751 ISL9V5036P3_F085 360 V 31 A TO220
862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450 V 43 A D2PAK
Hinweis
Die angegebenen Nennströme gelten bei einer Verbindungstemperatur von Tc = +110 °C.
Normen
AEC-Q101
IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 41 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 300 V |
Gate-Source Spannung max. | ±10V |
Verlustleistung max. | 150 W |
Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
Montage-Typ | SMD |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Schaltgeschwindigkeit | 1MHz |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Verwandte Produkte
- onsemi IGBT / 26 300 V 166 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 30 A 16V max. 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- onsemi IGBT / 21 A ±10V max. 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max. 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 25 A ±16V max. 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- Infineon IGBT / 8 600 V, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- onsemi IGBT / 10 A ±14V max. 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- onsemi FDD86250-F085 N-Kanal 3-Pin DPAK (TO-252)