onsemi IGBT / 60 A ±25V max., 1300 V 500 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

Der ON Semiconductor FGH30S130P ist ein 1300 V, 30 A IGBT mit Kurzschlussanode und Feldstopp-Trenchtechnologie. Weiche Schaltanwendungen sind ideal für den FGH30S130P mit effizienter Leitung und hoher Schaltleistung. Der IGBT FGH30S130P kann parallel betrieben werden und bietet große Lawinenfähigkeiten.
Der FGH30S130P IGBT ist für Induktionsheizungen, Mikrowellenherde und andere Haushaltsgeräte ausgelegt.

• Paket TO-247
• Hochgeschwindigkeitsumschaltung
• Hervorragende Überleitung
• Niedrige Sättigungsspannung
• Hohe Eingangsimpedanz

Lieferbare Versionen:
864-8849 - Packung mit 2 Stück
166-3300 - Rohr von 30

IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.